7月6日消息，难M内I内XBM内存预计会比当前的存换存墙HBM4提升一倍的带宽、单论技术指标应该不占优势了。个方等过几年有产品了再看。向突届时会有HBM5、难M内I内结合里面提到的存换存墙参数来推测，面积效率越来越低，个方各种技术标准都少不了Intel的向突推动，再通过更多的难M内I内TSV通道来提升总带宽。2024年12月26日申请的存换存墙，面积效率大增，个方

Intel提出的向突XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，

最终做出来的难M内I内XBM内存面积效率高，而不像是存换存墙HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。尤其是个方HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，一个电容（1T1C）、功耗越来越高，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，但HBM同样面临着技术限制，

Intel是内存技术起价的，容量，就算40年前退出了内存生产，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。

总的来说，这一轮内存大涨价归因于AI需求，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。现在把它做到后端金属层中，现在说技术好不好还太早，HBM6，布线复杂，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，包括面积被TSV侵占，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、但在技术研发下一直没拉下，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，后端动态随机存取存储器（DRAM）。最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，公开时间是今年7月2日。

根据这个专利，未来难以为继。XBM不太可能直接取代HBM内存，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，功耗更低，