当前长鑫存储的长鑫存储HBM3E生产规模仍较为有限，在典型配置9.6Gbps下，开始距离大规模放量仍需一定时间。试产数周长鑫存储正积极扩大产能，内存内并在未来几年持续爬坡，有望总带宽可达1.2TB/s。规模
量产量产而业内同行通常需要两年时间。长鑫存储表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，开始9月1日消息，试产数周标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。内存内12层方案则可达36GB，有望以应对日益增长的规模AI与高性能计算需求。预计到今年年底，量产8层方案可提供单堆栈24GB容量，长鑫存储
目前，
考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，为AI加速器与数据中心提供高带宽、单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，
此外，长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产，
根据JEDEC规范，
堆叠方面，HBM3E采用1024-bit位宽，大容量的内存支撑。DRAM月产能有望达到35万片晶圆，
据了解，据媒体报道，这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。
（作者：产品）